سبد خرید
0

هیچ محصولی در سبد خرید نیست.

حساب کاربری

یا

حداقل 8 کاراکتر

36340798058

ترانزیستور G20N60B3D-IGBT

شناسه کالا در سورسینو :

1504-K204
توضیح کوتاهی از این کالا
  • UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
  • 40A / 60V

وضعیت موجودی :

در انبار موجود نمی باشد

24,000 تومان

در انبار موجود نمی باشد

تخفیف ویژه همکاری
تنوع بالا
ارسال سریع
بسته بندی مقاوم
نقد و بررسی اجمالی

ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده  Insulated Gate Bipolar Transistor یا IGBT  بهترین بخش‌های دو ترانزیستور رایج BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد. در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و ترانزیستوری به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.

IGBT بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد، همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایین‌تر را دارا می باشد.

نمایش ادامه مطلب
مشخصات کلی
وزن 5.1 g
نظرات کاربران
اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترانزیستور G20N60B3D-IGBT”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

پرسش و پاسخ

    برای ثبت پرسش، لازم است ابتدا وارد حساب کاربری خود شوید

    افزودن به سبد خرید