IGBT

ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده  Insulated Gate Bipolar Transistor یا IGBT نوع خاصی از ترانزیستور می باشد.

IGBTها بهترین بخش‌های دو ترانزیستور رایج BJT و MOSFET را در ساختار خود دارند. در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است . ترانزیستوری به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.

IGBTها بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد یا BJT دارند.همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایین‌تر را دارا می باشد.